SEMICON Japan 2026における「次世代半導体GaNの挑戦」セミナーの開催及び出展について

 　環境省では、2050年温室効果ガス排出量実質ゼロの実現に貢献するため、省CO₂性能に優れた革新的部材である窒化ガリウム（GaN）半導体を活用した先進技術の開発・実証及び社会実装を推進しています。
本セミナーでは、GaN半導体の更なる社会実装に向けて、ノーベル物理学賞受賞者の天野浩・名古屋大学特別教授による基調講演をはじめ、第一線で活躍する技術者・研究者がGaN半導体関連技術の最新動向や研究成果を紹介するとともに、今後の社会実装の展望や脱炭素社会への貢献について議論します。
 
１．日時：令和８年12月11日(金)　13:30～15:45
２．会場：東京ビッグサイト　国際会議場（会議棟７階）
　　　　　（135-0063　東京都江東区有明３丁目11−１） 
３．プログラム
　 13:30-13:35
　　開会挨拶　環境大臣政務官　石井　拓（予定）
　13:35-14:05
　　【基調講演】
　　GaNパワーデバイスによる省エネルギー・ネットゼロエミッション社会実現への挑戦
　　名古屋大学　特別教授　天野　浩
　14:05-14:10
　　環境省GaN事業の概要　環境省
　14:10-15:00
　　最先端GaN半導体開発
　　　大阪大学　教授　森　勇介
　　　三菱ケミカル株式会社　技術グループ長　泉沢　悟
　　　パナソニックホールディングス株式会社　GaNプロジェクトマネージャー　田村　聡之
　15:00-15:45
　　パネルディスカッション
　　AI・GX時代を支えるGaN半導体 ～社会実装と脱炭素社会の展望～
　　https://semi.eventos.tokyo/web/portal/609/event/17111/module/booth/461171/473069　
４．参加方法
　本セミナーへの参加は無料です。また、本セミナーへの事前申込みは不要で、定員約500名の当日先着順となります。
　なお、入場には「SEMICON Japan 2026」への来場登録が必要です。来場登録を行い、来場者バッジを発行・印刷の上、当日、直接会場にお越しください。

　環境省が実施しているGaN半導体関連技術について、基盤技術からEV等への応用まで、開発の成果や社会実装に向けた取組を紹介します。
１．日時：令和８年12月９日(水)～同年12月11日(金)
２．場所：東京ビッグサイト　東展示棟７ホール　ブース番号：E7988
３．主な展示内容
　１）GaN on GaNパワーデバイス搭載EV（All GaN Vehicle ）

２）GaN半導体技術を活用した電源システム等

３）GaN種結晶、GaNウエハ及びGaN on GaNパワーデバイス