法令・告示・通達

特別管理一般廃棄物及び特別管理産業廃棄物に係る基準の検定方法

  • 公布日:平成4年7月3日
  • 厚生省告示192号

[改定]

平成7年3月28日 厚生省告示53号
平成10年8月27日 厚生省告示222号
平成11年9月10日 厚生省告示193号
平成12年1月14日 厚生省告示6号
平成12年9月29日 厚生省告示333号
平成12年12月28日 厚生省告示633号

 廃棄物の処理及び清掃に関する法律施行規則(昭和四十六年厚生省令第三十五号)第一条の二第二十四項の規定に基づき、特別管理産業廃棄物に係る基準の検定方法を次のように定め、平成四年七月四日から適用する。

   特別管理一般廃棄物及び特別管理産業廃棄物に係る基準の検定方法
(平一二厚告六・改称)

  1. 一 廃棄物の処理及び清掃に関する法律施行規則(昭和四十六年厚生省令第三十五号。以下「規則」という。)第一条第三項及び第一条の二第四十八項に掲げる基準の検定方法は、別表第一に定める方法によるものとする。
         (平一二厚告六・追加)
  2. 二 規則第一条の二第二項及び第三項に掲げる基準の検定方法は、日本工業規格K〇一〇二の十二・一に定める方法によるものとする。
         (平一二厚告六・旧第一号繰下・一部改正)
  3. 三 規則第一条の二第四項に掲げる基準の検定方法は、廃PCB等又はPCB汚染物を処分するために処理したものについて次のイからヘまでに掲げる区分に応じ、それぞれ当該イからヘまでに定める方法によるものとする。
    1.  イ 廃油(「特別管理一般廃棄物及び特別管理産業廃棄物の処分又は再生の方法として環境大臣が定める方法」(平成四年七月厚生省告示第百九十四号。以下「処理方法告示」という。)第六号に規定する方法により処分又は再生したものに限る。) 別表第二に定める方法
    2.  ロ 廃油(処理方法告示第七号に規定する方法により処分又は再生した場合(トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン又はこれらと同等以上の洗浄力を有する洗浄液(以下「洗浄液」という。)を循環させて洗浄した場合及び洗浄液に浸漬して洗浄した場合に限る。)における当該処分又は再生に係る洗浄液に限る。) 別表第三の第一に定める方法
    3.  ハ 廃酸又は廃アルカリ 「産業廃棄物に含まれる金属等の検定方法」(昭和四十八年二月環境庁告示第十三号。以下「検定方法告示」という。)に定める方法
    4.  ニ 廃プラスチック類又は金属くず(処理方法告示第七号に規定する方法のうち、洗浄設備を用いる方法により、処分し、又は再生したものに限る。) 別表第三の第一又は第二若しくは第三(水系洗浄の場合にあっては、同表の第二又は第三)に定める方法
    5.  ホ 金属くず(処理方法告示第七号に規定する方法のうち、分離設備を用いる方法により、処分し、又は再生したものに限る。) 別表第三の第二又は第三に定める方法
    6.  ヘ 廃油、廃酸、廃アルカリ、廃プラスチック類又は金属くず以外 検定方法告示に定める方法(埋立処分に係る方法に限る。)
         (平一〇厚告二二二・追加、平一一厚告一九三・一部改正、平一二厚告六・旧第二号繰下・一部改正、平一二厚告三三三・平一二厚告六三三・一部改正)
  4. 四 規則第一条の二第五項、第六項及び第八項から第四十七項までに掲げる基準の検定方法は、検定方法告示に定める方法によるものとする。この場合において、検定しようとする産業廃棄物が燃え殻、汚泥、鉱さい、ばいじん又はこれらの廃棄物を処分するために処理したものである場合は、検定方法告示中埋立処分を行おうとするこれらの産業廃棄物についての規定を適用し、検定しようとする産業廃棄物が廃酸又は廃アルカリである場合は、検定方法告示中海洋投入処分に係るこれらの産業廃棄物についての規定を適用する。
         (平七厚告五三・一部改正、平一〇厚告二二二・旧第二号繰下・一部改正、平一二厚告六・旧第三号繰下)

附則

 平成七年四月一日から適用する。

 平成十二年一月十五日から適用する。

 平成十二年十月一日から適用する。

 平成十三年一月六日から適用する。

別表
(平12厚告6・追加)

(1) 試料採取

  焼却施設から排出される試料として代表的な試料を採取する。ばいじん及び燃え殻が分離して排出される焼却施設においては、ばいじん及び燃え殻をそれぞれ採取する。この場合において、焼却施設内でばいじん又は燃え殻を処理するときは、ばいじん又は燃え殻を処理したものを採取する。

  1.  ア 排出ピット等から、シャベル、スコップ等の採取具を用いて数箇所から採取し、容器(アルミ製バット等のダイオキシン類の吸着のない材質製のものに限る。)に移し入れ、不燃物等の異物を取り除き、十分に均一化する。
  2.  イ 均一化した試料を保存容器(ガラス製等のダイオキシン類の吸着のない材質製のものであって、密封できるものに限る。)に入れる。採取量は、試料の調製後に150g程度の試料を確保できる量とする。
  3.  ウ 保存容器を密封し、遮光された容器に収納する。

(2) 試料の前処理

 ア 試薬

   日本工業規格K0311の6.2に規定するものを用いる。

 イ 器具及び装置

   日本工業規格K0311の6.3に規定するものを用いる。

 ウ 試料の調製等

  (ア) 試料の調製
  1.    ① 灰試料の場合は、5mmの目のふるいを用いてふるい分けし、風乾後、乳鉢中で均一にすりつぶして混合する。
  2.    ② 固化物試料の場合は、試料を粒径2mm程度以下まで粉砕する。
  3.    ③ 汚泥の場合は、試料を湿状のまま秤量する。この場合において、汚泥に含まれる固型分の重量比は、当該汚泥20g以上100g以下(Ag)を平型量り瓶(容量50ml以上のもので、あらかじめ乾燥したものに限る。)又は蒸発皿(容量100ml以上のもので、あらかじめ乾燥したものに限る。)に正確に計り取り、沸騰しないように注意して水分を蒸発させ、105℃以上110℃以下で2時間程度乾燥させ、デシケーター中で30分間程度放冷させた後、当該平型量り瓶又は蒸発皿に残留した物質の重量(Bg)を正確に求め、これを固型分の重量とし、次に掲げる式により求める。
         固型分の重量比(%)=B/A×100
  (イ) 内標準物質の添加

    (ア)の操作により調製した試料20g以上100g以下をビーカーに秤取し、日本工業規格K0311の6.4.1に規定する方法により、ダイオキシン類内標準物質を加える。

 エ 抽出

  1.   (ア) ウの操作で得られた試料について、日本工業規格K0311の6.4.2a)に規定する方法により塩酸処理及び洗浄を行い、ソックスレー抽出を行う。
  2.   (イ) (ア)の操作で得られた塩酸溶液及びメタノール又はアセトン洗浄液を分液漏斗に入れ、溶液1l当たりジクロロメタン50mlで3回、液―液振とう抽出を行い、硫酸ナトリウムを用いて脱水する。
  3.   (ウ) (ア)及び(イ)の操作で得られた抽出液を合わせて溶媒を加え、一定量とし、抽出液とする。

 オ 前処理

  1.   (ア) エの(ウ)の操作で得られた抽出液について、日本工業規格K0311の6.4.4に規定する方法により、硫酸処理―シリカゲルカラムクロマトグラフ操作又は多層シリカゲルカラムクロマトグラフ操作のいずれかの方法により妨害物質を取り除く。
  2.   (イ) 日本工業規格K0311の6.4.5に規定する方法によりアルミナカラムクロマトグラフ操作を行い、測定用試料とする。汚泥については、高速液体クロマトグラフ操作又は活性炭カラムクロマトグラフ操作を追加する。

(3) 同定及び定量

 ア 測定手順

   日本工業規格K0311の7に規定する方法(サンプリングスパイクに係る部分を除く。)により、ダイオキシン類の定量を行う。

 イ 相対感度の算出

   ダイオキシン類標準溶液を高分離能ガスクロマトグラフに注入して得られたクロマトグラムから、塩素化合物の種類ごとに、次に掲げる式によって相対感度(以下「RRF」という。)を算出する。   RRF=(As×CIS)/(AIS×Cs)
    (この式において、As、CIS、AIS及びCsは、それぞれ次の数値を表すものとする。

  •      As ダイオキシン類標準物質のクロマトグラムのピーク面積
  •      CIS ダイオキシン類標準溶液中のダイオキシン類内標準物質の濃度
  •      AIS ダイオキシン類内標準物質のクロマトグラムのピーク面積
  •      Cs ダイオキシン類標準溶液中のダイオキシン類標準物質の濃度)

 ウ ダイオキシン類の定量

  1.   (ア) (2)のオで得られた測定用試料を高分離能ガスクロマトグラフに注入して得られたクロマトグラムから、塩素化合物の種類ごとに、次に掲げる式によって試料中の濃度を算出する。    Ci=(As×IIS)/(AIS×RRF)/W
        (この式において、Ci、As、IIS、AIS及びWは、それぞれ次の数値を表すものとする。
    •      Ci 試料中の当該塩素化合物の濃度(ng/g-dry)
    •      As 当該塩素化合物のクロマトグラムのピーク面積
    •      IIS 試料に添加したダイオキシン類内標準物質の量(ng)
    •      AIS 当該塩素化合物に対応するダイオキシン類内標準物質のクロマトグラムのピーク面積
    •      W 試料の採取量(g-dry))
  2.   (イ) ダイオキシン類内標準物質の回収率が50%以上120%以下の範囲内であることを確認し、回収率が範囲外であるときは、再度前処理を行い測定する。

 エ 毒性等量への換算

   次に掲げる式により試料中のダイオキシン類の濃度を2,3,7,8―テトラクロロジベンゾ―パラ―ジオキシンの毒性に換算する。この場合において、それぞれの塩素化合物の濃度が定量下限未満であるときは、当該塩素化合物の濃度は0として計算する。   C=ΣCi×TEQi
    (この式において、C、Ci、TEQiは、それぞれ次の数値を表すものとする。

  •      C ダイオキシン類の毒性等量(ng-TEQ/g-dry)
  •      Ci 3の(3)のアで得られた塩素化合物の種類ごとの濃度(ng/g-dry)
  •      TEQi ダイオキシン類対策特別措置法施行規則(平成11年総理府令第67号)別表第三の中欄に掲げる塩素化合物ごとにそれぞれ同表の下欄に掲げる係数)

(平10厚告222・追加、平11厚告193・一部改正、平12厚告6・旧別表第1繰下・一部改正)

(1) 試薬(PCBの分析に妨害を生じないものに限る。)

  1.  ア ノルマルヘキサン
  2.  イ トルエン
  3.  ウ 10%トルエン含有ノルマルヘキサン溶液
  4.  エ ジメチルスルホキシド(以下「DMSO」という。)
  5.  オ ノルマルヘキサン飽和のDMSO
  6.  カ ヘキサン洗浄水
       蒸留水をノルマルヘキサンで十分に洗浄したもの
  7.  キ 水酸化カリウム
  8.  ク 2mol/l水酸化カリウム水溶液
  9.  ケ 硫酸ナトリウム(無水)
  10.  コ 濃硫酸
  11.  サ シリカゲル
       メタノールで洗浄したカラムクロマトグラフ用シリカゲルを、層の厚さが10mm以下になるようにビーカーに入れ、約130℃で18時間乾燥させた後、デシケーター内で放冷したもの
  12.  シ ノルマルデカン
  13.  ス 2%水酸化カリウム被覆シリカゲル
       シリカゲルに1mol/l水酸化カリウム水溶液を加え、ロータリーエバポレーターを用いて約50℃で減圧脱水し水分を除去した後、80℃で1時間減圧脱水し、粉末状にしたものであって、シリカゲルに対して水酸化カリウムを2w/w%となるよう調製したもの
  14.  セ 44%硫酸被覆シリカゲル
       シリカゲルに濃硫酸を44w/w%となるように加え、十分振とうし、粉末状にしたもの
  15.  ソ 22%硫酸被覆シリカゲル
       シリカゲルに濃硫酸を22w/w%となるように加え、十分振とうし、粉末状にしたもの
  16.  タ 40%硝酸銀水溶液
  17.  チ 10%硝酸銀被覆シリカゲル
       シリカゲルに40%硝酸銀水溶液を加え、ロータリーエバポレーターを用いて約50℃で減圧脱水し水分を除去した後、80℃で1時間減圧脱水し、粉末状にしたものであって、シリカゲルに対して硝酸銀を10w/w%となるよう調製したもの
  18.  ツ ペルフルオロケロセン
       質量分析用高沸点成分であるもの
  19.  テ PCB標準物質
       塩素化合物のうち4―M1CB、2,4'―D2CB、2,4,4'―T3CB、2,2',5,5'―T4CB、2,2',4,5,5'―P5CB、2,3',4,4',5―P5CB、2,2',3,4,4',5'―H6CB、2,2',4,4',5,5'―H6CB、2,2',3,4,4',5,5'―H7CB、2,2',3,3',4,4',5,5'―O8CB、2,2',3,3',4,4'5,5',6―N9CB及び2,2',3,3',4,4',5,5',6,6'―D10CB
  20.  ト PCB内標準物質
       PCB標準物質のC(13)体
  21.  ナ PCB標準溶液
       PCB標準物質及びPCB内標準物質をトルエン又はノルマルデカンに溶かしたもので、PCB内標準物質の濃度が40pg/μl以上100pg/μl以下程度で一定であり、PCB標準物質の濃度が0.5pg/μl以上1ng/μl以下の範囲内で5段階となるよう設定したもの
  22.  ニ PCB同定用物質
       試験用PCBのKC―300、KC―400、KC―500及びKC―600を重量比1対1対1対1の割合で混合したもの

(2) 器具及び装置(試薬とともに空試験を行い、PCBの分析に影響を及ぼす妨害成分を含まないことが確認されたものに限る。)

  1.  ア 試験管
       容量が10ml及び20mlのもの
  2.  イ ナス型フラスコ
       容量が300ml又は500mlのもの
  3.  ウ 分液漏斗
       容量が300mlのもの
  4.  エ 漏斗
  5.  オ カラムクロマトグラフ用ガラス管(以下「クロマト管」という。)
       内径10mm及び長さ3OOmm並びに内径15mm及び長さ300mmのコック付きガラス管
  6.  カ マイクロピペット又はホールピペット
  7.  キ 駒込ピペット
  8.  ク 濃縮器
       クデルナダニッシュ濃縮器又はロータリーエバポレーター
  9.  ケ 高分離能ガスクロマトグラフ
      (ア) 試料導入部
        スプリットレス方式で温度を250℃以上280℃以下にできるもの又はオンカラム方式で温度を150℃以上300℃以下にできるもの
      (イ) カラム
        内径0.25mm以上0.32mm以下及び長さ25m以上60m以下のキャピラリーカラム(PCB塩素化合物の溶出順位の判明しているものに限る。)
      (ウ) キャリアーガス
        純度99.999%以上のヘリウム又は水素
      (エ) カラム温度
        80℃以上300℃以下の間で温度を一定に保つことができ、1分間に20℃以上の昇温ができるもの
  10.  コ 高分解能質量分析計
       次の条件を満たしているもの
    1.   (ア) 二重収束形で、10,000以上の分解能で測定できるものであって、ペルフルオロケロセンを用いたロックマス方式による選択イオンモニタリング法(以下「SIM法」という。)で測定できるもの
    2.   (イ) イオン源温度を250℃以上に保つことができ、衝撃イオン化方式が可能で、SIM法における磁場の周期を最大1秒以上にできるもの
    3.   (ウ) T4CBのうち1種類のPCB塩素化合物の標準溶液を高分離能ガスクロマトグラフに注入し、0.2pgのT4CBを検出できるもの

(3) 測定手順

  1.  ア 次に掲げる操作により抽出を行う。
    1.   (ア) 試料約1gを秤量し、ノルマルヘキサン20ml又は10%トルエン含有ノルマルヘキサン溶液20mlに溶かす。このうち2mlを分取し、(1)テに掲げるPCB標準物質ごとにPCB内標準物質1ngを加える。
    2.   (イ) 分液漏斗にノルマルヘキサン飽和のDMSO25mlを入れ、これに(ア)の操作で得られた試料を8mlのノルマルヘキサンで洗浄しながら移し入れ、振とう抽出を4回行って得られた合計約100mlのDMSO抽出液に、ノルマルヘキサン40mlを加え、残存する油分を除去する。
    3.   (ウ) 分液漏斗にノルマルヘキサン75ml及びヘキサン洗浄水100mlを入れ、(イ)の操作で得られたDMSO抽出液約100mlを加え、振とう抽出を3回行う。
    4.   (エ) (ウ)の操作で得られた合計約225mlのノルマルヘキサンを分液漏斗に入れ、2mol/l水酸化カリウム水溶液10mlによる洗浄を行う。さらに、水25mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウム(無水)で脱水した後、濃縮器で1mlに濃縮する。
  2.  イ 次のいずれかの方法により前処埋を行う。なお、いずれの方法による場合であっても、PCB内標準物質が十分に回収されていることを確認すること。
    1.   (ア) ア(エ)の操作で得られた濃縮液をノルマルヘキサン50ml以上150ml以下で洗浄しながら分液漏斗に移し入れ、濃硫酸を適量加える。穏やかに振とうし、静置した後、硫酸層を除去する。この操作を硫酸層の着色が薄くなるまで繰り返す。ノルマルヘキサン層をヘキサン洗浄水50mlずつでほぼ中性になるように洗浄し、硫酸ナトリウム(無水)で脱水した後、濃縮器で約5mlに濃縮し、更に窒素気流により約1に濃縮する。内径10mm及び長さ300mmのクロマト管にシリカゲル3gをノルマルヘキサンで湿式充てんし、その上に硫酸ナトリウム(無水)を約10mm重層する。受器をクロマト管下端においた後、得られた試料を濃縮器からクロマト管に移し入れ、ノルマルヘキサン150mlを流下させて流出液を得る。流出液は濃縮器で約5mlに濃縮し、ノルマルデカン又はトルエン100μlを加えた後、窒素気流により約100μlに濃縮する。
    2.   (イ) 内径15mm及び長さ300mmのクロマト管にシリカゲル0.9g、2%水酸化カリウム被覆シリカゲル3g、シリカゲル0.9g、44%硫酸被覆シリカゲル4.5g、22%硫酸被覆シリカゲル6g、シリカゲル0.9g、10%硝酸銀被覆シリカゲル3g及び硫酸ナトリウム(無水)6gを順次充てんし、ノルマルヘキサンで充てん剤を十分洗浄する。受器をクロマト管下端においた後、ア(エ)の操作で得られた濃縮液をクロマト管に移し入れ、ノルマルヘキサン120mlを流下させて流出液を得る。流出液は、濃縮器で約5mlに濃縮し、ノルマルデカン又はトルエン100μlを加えた後、窒素気流により約100μlに濃縮する。
  3.  ウ PCB標準溶液を高分離能ガスクロマトグラフに注入し、得られたクロマトグラムから、PCB塩素化合物の種類ごとに、次に掲げる式によって相対感度係数(以下「RRF」という。)を算出する。PCB塩素化合物のうち5塩化物及び6塩化物のRRFについては、2種類の標準物質のクロマトグラムから算出されたRRFの平均値とする。   RRF=(As×CIS)/(AIS×Cs)
       (この式において、As、CIS、AIS及びCsはそれぞれ次の数値を示すものとする。
    •      As PCB標準物質のクロマトグラムのピーク面積
    •      CIS PCB標準溶液中のPCB内標準物質の濃度
    •      AIS PCB内標準物質のクロマトグラムのピーク面積
    •      Cs PCB標準溶液中のPCB標準物質の濃度)
  4.  エ イの操作で得られた濃縮液を高分離能ガスクロマトグラフに注入し、得られたクロマトグラムから、PCB塩素化合物の種類ごとに、次に掲げる式によって試料中の濃度を算出する。なお、PCB塩素化合物の同定に当たっては、相対溶出時間及びピークにおける同位体比がPCB標準物質及びPCB同定用物質のものとほぼ同等であること。   C=(As×Is)/(AIS×RRF)/W
       (この式において、C、As、Is、AIS及びWはそれぞれ次の数値を表すものとする。
    •      C 当該塩素化合物の濃度(ng/g)
    •      As 当該塩素化合物のクロマトグラムのピーク面積
    •      Is 試料に添加したPCB内標準物質の量(ng)
    •      AIS 当該塩素化合物に対応するPCB内標準物質のクロマトグラムのピーク面積
    •      W 試料量(g))
  5.  オ 廃油中のPCB濃度は、エで得られた塩素化合物の濃度の総和とする。
  6.  カ 廃油中のPCB濃度の算出に当たっては、同様の試験操作を行った空試験の結果が試料の測定値に影響しないレベルであることを確認すること。

(平10厚告222・追加、平11厚告193・一部改正、平12厚告6・旧別表第2繰下・一部改正)

第一 洗浄液試験法

(1) 試薬(PCBの分析に妨害を生じないものに限る。)

  1.  ア ノルマルヘキサン
  2.  イ トルエン
  3.  ウ 10%トルエン含有ノルマルヘキサン溶液
  4.  エ DMSO
  5.  オ ノルマルヘキサン飽和のDMSO
  6.  カ ヘキサン洗浄水
       蒸留水をノルマルヘキサンで十分に洗浄したもの
  7.  キ 2mol/l水酸化カリウム水溶液
  8.  ク 硫酸ナトリウム(無水)
  9.  ケ 濃硫酸
  10.  コ シリカゲル
       メタノールで洗浄したカラムクロマトグラフ用シリカゲルを、層の厚さが10mm以下になるようにビーカーに入れ、約130℃で18時間乾燥させた後、デシケーター内で放冷したもの

(2) 器具及び装置(試薬とともに空試験を行い、PCBの分析に影響を及ぼす妨害成分を含まないことが確認されたものに限る。)

  1.  ア 分液漏斗
  2.  イ 濃縮器
  3.  ウ フラスコ
  4.  エ 漏斗
  5.  オ ピペット
  6.  カ クロマト管
       内径10mm及び長さ300mmのコック付きガラス管

(3) 試験操作

 ア 試料溶液の調製

   洗浄液1gをノルマルヘキサンで希釈した溶液5ml又は洗浄液5mlを試料溶液とする。

 イ ガスクロマトグラフによる分析

   アで得られた試料溶液「水質汚濁に係る環境基準について」(昭和46年12月環境庁告示第59号。以下「水質環境基準」という。)の付表5の3(7)に定める方法によりガスクロマトグラフに注入して分祈し、次に掲げる式により洗浄液中のPCB濃度(mg/kg)を求める。
    PCB濃度(mg/kg)=PCB標準液の濃度(mg/l)×(PCB標準液注入量(μl)/試料溶液注入量(μl))×(ΣCB2(%)/ΣCB0(%))×(試料溶液の量(ml)/試料採取量(g))

 備考

   洗浄液に含まれる油分等の妨害物質により分析に支障を与えるおそれがある場合には、以下により前処理を行った上で試料溶液とする。

 ア DMSO分配
  1.   (ア) 試料として採取した洗浄液1gをノルマルヘキサン20ml又は10%トルエン含有ノルマルヘキサン溶液20mlで希釈する。
  2.   (イ) 分液漏斗にノルマルヘキサン飽和のDMSO25mlを入れ、これに(ア)の試料20mlを加え、振とう抽出を4回行って得られた合計約100mlのDMSO抽出液に、ノルマルヘキサン40mlを加え、残存する油分を除去する。
  3.   (ウ) 分液漏斗にノルマルヘキサン75ml及びヘキサン洗浄水100mlを入れ、(イ)の操作で得られたDMSO抽出液約100mlを加え、振とう抽出を3回行う。
  4.   (エ) (ウ)の操作で得られた合計約225mlのノルマルヘキサンを分液漏斗に入れ、2mol/l水酸化カリウム水溶液10mlによる洗浄を行う。さらに、水25mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウム(無水)で脱水した後、濃縮器で1mlに濃縮する。
 イ 硫酸処理及びシリカゲルカラムクロマトグラフ処理
  1.   (ア) ア(エ)の操作で得られた濃縮液をノルマルヘキサン50ml以上150ml以下で洗浄しながら分液漏斗に移し入れ、濃硫酸を適量加える。穏やかに振とうし、静置した後、硫酸層を除去する。この操作を硫酸層の着色が薄くなるまで繰り返す。
  2.   (イ) ノルマルヘキサン層をヘキサン洗浄水50mlずつでほぼ中性になるように洗浄し、硫酸ナトリウム(無水)で脱水した後、濃縮器で約5mlに濃縮し、更に窒素気流により約1mlに濃縮する。
  3.   (ウ) クロマト管にシリカゲル3gをノルマルヘキサンで湿式充てんし、その上に硫酸ナトリウム(無水)を約10mm重層する。これに(イ)の操作で得られた濃縮液を移し入れ、ノルマルヘキサン150mlを流下させて流出液を得る。
  4.   (エ) 流出液は濃縮器で約5mlに濃縮し、必要に応じて更に濃縮する。

(4) 判定

  (3)で求めた洗浄液中のPCB濃度が0.5mg/kg以下であること。

 備考

   この試験方法における用語、試薬、器具及び装置その他の事項でこの試験方法に定めがないものについては、水質環境基準の付表5に定めるところによる。

第二 拭き取り試験法

(1) 試薬(PCBの分析に妨害を生じないものに限る。)

  1.  ア ノルマルヘキサン
  2.  イ DMSO
  3.  ウ ノルマルヘキサン飽和のDMSO
  4.  エ ヘキサン洗浄水
       蒸留水をノルマルヘキサンで十分に洗浄したもの
  5.  オ 2mol/l水酸化カリウム水溶液
  6.  カ 硫酸ナトリウム(無水)
  7.  キ 濃硫酸
  8.  ク シリカゲル
       メタノールで洗浄したカラムクロマトグラフ用シリカゲルを、層の厚さが10mm以下になるようにビーカーに入れ、約130℃で18時間乾燥された後、デシケーター内で放冷したもの
  9.  ケ 脱脂綿
  10.  コ ガラス繊維

(2) 器具及び装置(試薬とともに空試験を行い、PCBの分析に影響を及ぼす妨害成分を含まないことが確認されたものに限る。)

  1.  ア 分液漏斗
  2.  イ 濃縮器
  3.  ウ フラスコ
  4.  エ 漏斗
  5.  オ ピペット
  6.  カ クロマト管
       内径10mm及び長さ300mmのコック付きガラス管

(3) 試験操作

 ア 試料の採取

   ノルマルヘキサンを染み込ませた脱脂綿等により廃プラスチック類又は金属くずの表面500cm2を拭き取る。

 イ 抽出

  1.   (ア) フラスコにアで得られた脱脂綿等を入れ、更にノルマルヘキサン50mlを加え、激しく振とうし、静置した後、ガラス繊維を敷いた漏斗でろ過し、ろ液を別のフラスコに入れる。
  2.   (イ) フラスコ内容物をノルマルヘキサン20mlずつで3回洗い、洗浄液をろ過して、(ア)の操作で得られたろ液と混ぜ、これを濃縮器で25mlに濃縮する。

 ウ DMSO分配

  1.   (ア) 分液漏斗にノルマルヘキサン飽和のDMSO25mlを入れ、これにイの操作で得られた試料を加え、振とう抽出を4回行って得られた合計約100mlのDMSO抽出液に、ノルマルヘキサン40mlを加え、残存する油分を除去する。
  2.   (イ) 分液漏斗にノルマルヘキサン75ml及びヘキサン洗浄水100mlを入れ、(ア)の操作で得られたDMSO抽出液約100mlを加え、振とう抽出を3回行う。
  3.   (ウ) (イ)の操作で得られた合計約225mlのノルマルヘキサンを分液漏斗に入れ、2mol/l水酸化カリウム水溶液10mlによる洗浄を行う。さらに、水25mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウム(無水)で脱水した後、濃縮器で1mlに濃縮する。

 エ 硫酸処理及びシリカゲルカラムクロマトグラフ処理

  1.   (ア) ウ(ウ)の操作で得られた濃縮液をノルマルヘキサン50ml以上150ml以下で洗浄しながら分液漏斗に移し入れ、濃硫酸を適量加える。穏やかに振とうし、静置した後、硫酸層を除去する。この操作を硫酸層の着色が薄くなるまで繰り返す。
  2.   (イ) ノルマルヘキサン層をヘキサン洗浄水50mlずつでほぼ中性になるように洗浄し、硫酸ナトリウム(無水)で脱水した後、濃縮器で約5mlに濃縮し、更に窒素気流により約1mlに濃縮する。
  3.   (ウ) クロマト管にシリカゲル3gをノルマルヘキサンで湿式充てんし、その上に硫酸ナトリウム(無水)を約10mm重層する。これに(イ)の操作で得られた濃縮液を移し入れ、ノルマルヘキサン150mlを流下させて流出液を得る。
  4.   (エ) 流出液は濃縮器で約5mlに濃縮し、必要に応じて更に濃縮する。

 オ ガスクロマトグラフによる分析

   エの操作で得られた試料溶液を水質環境基準の付表5の3(7)に定める方法によりガスクロマトグラフに注入して分析し、次に掲げる式により廃プラスチック類又は金属くずへのPCBの付着量(μg/100cm2)を求める。
   PCB表面付着量(μg/100cm2)=PCB標準液の濃度(mg/l)×(PCB標準液注入量(μl)/試料溶液注入量(μl))×(ΣCB2(%)/ΣCB0(%))×(試料溶液の量(ml)/試料採取面積(cm2))×100

(4) 判定

  (3)で求めた廃プラスチック類又は金属くずへのPCBの付着量が0.1μg/100cm2以下であること。

 備考

   この試験方法における用語、試薬、器具及び装置その他の事項でこの試験方法に定めがないものについては、水質環境基準の付表5に定めるところによる。

第三 部材採取試験法

(1) 試薬(PCBの分析に妨害を生じないものに限る。)

  1.  ア ノルマルヘキサン
  2.  イ DMSO
  3.  ウ ノルマルヘキサン飽和のDMSO
  4.  エ ヘキサン洗浄水
       蒸留水をノルマルヘキサンで十分に洗浄したもの
  5.  オ 2mol/l水酸化カリウム水溶液
  6.  カ 硫酸ナトリウム(無水)
  7.  キ 濃硫酸
  8.  ク シリカゲル
       メタノールで洗浄したカラムクロマトグラフ用シリカゲルを、層の厚さが10mm以下になるようにビーカーに入れ、約130℃で18時間乾燥させた後、デシケーター内で放冷したもの
  9.  ケ ガラス繊維

(2) 器具及び装置(試薬とともに空試験を行い、PCBの分析に影響を及ぼす妨害成分を含まないことが確認されたものに限る。)

  1.  ア 分液漏斗
  2.  イ 濃縮器
  3.  ウ フラスコ
  4.  エ 漏斗
  5.  オ ピペット
  6.  カ クロマト管
       内径10mm及び長さ300mmのコック付きガラス管

(3) 試験操作

 ア 試料の採取

   PCB汚染物から体積約1cm3以下の直方体約50gを切り取り、これらを秤量し、試験試料とする。

 イ 抽出

  1.   (ア) フラスコにアで得られた試験試料を入れ、更にノルマルヘキサン50ml(試料の容量に応じて増加させる)を加え、超音波洗浄器等を用いて十分に抽出し、ガラス繊維を敷いた漏斗でろ過し、ろ液を別のフラスコに入れる。
  2.   (イ) フラスコ内容物をノルマルヘキサン20mlずつで3回洗い、洗浄液をろ過して、(ア)の操作で得られたろ液と混ぜ、これを濃縮器で25mlに濃縮する。

 ウ DMSO分配

  1.   (ア) 分液漏斗にノルマルヘキサン飽和のDMSO25mlを入れ、これにイの操作で得られた試料を加え、振とう抽出を4回行って得られた合計約100mlのDMSO抽出液に、ノルマルヘキサン40mlを加え、残存する油分を除去する。
  2.   (イ) 分液漏斗にノルマルヘキサン75ml及びヘキサン洗浄水100mlを入れ、(ア)の操作で得られたDMSO抽出液約100mlを加え、振とう抽出を3回行う。
  3.   (ウ) (イ)の操作で得られた合計約225mlのノルマルヘキサンを分液漏斗に入れ、2mol/l水酸化カリウム水溶液10mlによる洗浄を行う。さらに、水25mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウム(無水)で脱水した後、濃縮器で1mlに濃縮する。

 エ 硫酸処理及びシリカゲルカラムクロマトグラフ処理

  1.   (ア) ウ(ウ)の操作で得られた濃縮液をノルマルヘキサン50ml以上150ml以下で洗浄しながら分液漏斗に移し入れ、濃硫酸を適量加える。穏やかに振とうし、静置した後、硫酸層を除去する。この操作を硫酸層の着色が薄くなるまで繰り返す。
  2.   (イ) ノルマルヘキサン層をヘキサン洗浄水50mlずつでほぼ中性になるように洗浄し、硫酸ナトリウム(無水)で脱水した後、濃縮器で約5mlに濃縮し、更に窒素気流により約1mlに濃縮する。
  3.   (ウ) クロマト管にシリカゲル3gをノルマルヘキサンで湿式充てんし、その上に硫酸ナトリウム(無水)を約10mm重層する。これに(イ)の操作で得られた濃縮液を移し入れ、ノルマルヘキサン150mlを流下させて流出液を得る。
  4.   (エ) 流出液は濃縮器で約5mlに濃縮し、必要に応じて更に濃縮する。

 オ ガスクロマトグラフによる分析

   エの操作で得られた試料溶液を水質環境基準の付表5の3(7)に定める方法によりガスクロマトグラフに注入して分析し、次に掲げる式により廃プラスチック類又は金属くずへのPCBの付着量(mg/kg)を求める。    PCB部材付着量(mg/kg)=PCB標準液の濃度(mg/l)×(PCB標準液注入量(μl)/試料溶液注入量(μl))×(ΣCB2(%)/ΣCB0(%))×(試料溶液の量(ml)/試料採取量(g))

(4) 判定

  (3)で求めた廃プラスチック類又は金属くずへのPCBの付着量が0.01mg/kg以下であること。

 備考

   この試験方法における用語、試薬、器具及び装置その他の事項でこの試験方法に定めがないものについては、水質環境基準の付表5に定めるところによる。

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